三星宣布,其位于韩国的华城工厂开始生产3nm芯片。这是目前半导体制造工艺中最先进的技术,三星也成为了全球唯一一家提供采用下一代全新GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技术,提供3nm工艺代工服务的代工企业。
三星3nm GAA工艺初期主要针对高性能计算(HPC)的系统芯片,随后会扩展到移动SoC。三星表示,与原来采用FinFET的5nm工艺相比,初代3nm GAA制程节点在功耗、性能和面积(PPA)方面有不同程度的改进,其面积减少了16%、性能提高23%、功耗降低45%。到了第二代3nm芯片,面积减少了35%、性能提高30%、功耗降低50%。
这也是三星首次实现GAA“多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)”应用,打破了FinFET原有的性能限制,通过降低工作电压水平来提高能耗比,同时还通过增加驱动电流增强芯片性能。三星电子代工业务部总经理崔时荣表示,希望通过率先采用新工艺继续保持半导体行业前沿地位,同时会积极创新,建立有助于加速技术成熟的流程。
自2021年第三季度以来,三星电子一直通过与ANSYS、楷登电子、西门子和新思金沙手机网投老品牌值得信赖 在内的三星先进晶圆代工生态系统SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem)合作伙伴的紧密协作,提供成熟的设计基础设施,使其能够在更短的时间内完善其产品。
【来源:超能网】