全球半导体产能不足在过去的一年里已经不是什么大新闻，不断增长的需求使得供应短缺情况进一步加剧。不少晶圆生产厂商都选择扩充产能，比如新建晶圆厂，以满足市场的需要。三星在今年就宣布，未来十年将投资1515亿美元用于晶圆厂的建设。
图：三星在韩国京畿道华城市建设中的Fab
据TomsHardware报道，近日三星高管在会议上表示，计划通过原晶圆厂扩建和新建晶圆厂，大幅度提升产能。到2026年，产能将是目前的三倍，尽可能满足客户需求。目前三星已经在韩国京畿道平泽市建造一座全新的晶圆厂，接下来可能会在美国德克萨斯州有同样的行动。需要在四年时间里，将产能增加两倍，三星看起来对未来非常乐观。三星是世界第二大晶圆代工厂，仅次于台积电（TSMC），目前拥有100多个客户。
除了产能，三星也在推进工艺的研发。三星将会在3nm制程节点引入了全新的GAAFET全环绕栅极晶体管工艺，第一代3nm工艺已推迟到2022年上半年量产，而第二代3nm工艺将会在2023年量产。三星表示，与原来的5nm工艺相比，首个采用采用MBCFET工艺的3nm GAA制程节点的芯片面积减少了35%，性能提高30%或功耗降低50%。此外，三星也没有放弃对现有工艺的改进，之前推出了用于CIS、DDI、MCU的17LPV工艺，在28nm工艺基础上加入了14nm工艺使用的FinFET工艺技术，以相对低成本享受到新的技术优势。
【来源：超能网】
